برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Identification of Defects in Semiconductors

دانلود کتاب شناسایی عیوب در نیمه هادی ها

مشخصات کتاب

Identification of Defects in Semiconductors

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش:  
نویسندگان: Michael Stavola (Eds.)  
سری: Semiconductors and Semimetals 51, Part B 
ISBN (شابک) : 0127521658, 9780080864495 
ناشر: Elsevier, Academic Press 
سال نشر: 1999 
تعداد صفحات: 449 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 19 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 37,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 6

در صورت تبدیل فایل کتاب Identification of Defects in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب شناسایی عیوب در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب شناسایی عیوب در نیمه هادی ها

توصیف کلی این مجموعه از زمان آغاز به کار آن در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران و مشارکت کنندگان مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران در واقع نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. ماهیت رشته ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود. شرح کلی جلد این جلد دارای مشارکت در تکنیک های پیشرفته توصیف با تمرکز بر شناسایی نقص است. ترکیب تکنیک های پرتو با مشخصات الکتریکی و نوری در جای دیگری مورد بحث قرار نگرفته است.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

GENERAL DESCRIPTION OF THE SERIESSince its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise indeed that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry. GENERAL DESCRIPTION OF THE VOLUMEThis volume has contributions on Advanced Characterization Techniques with a focus on defect identification. The combination of beam techniques with electrical and optical characterization has not been discussed elsewhere.

فهرست مطالب

Content: 
Edited by
Page ii

Volume Editor
Page iii

Copyright page
Page iv

Preface
Pages ix-xi
Michael Stavola

List of Contributors
Pages xiii-xiv

Chapter 1 Optical Measurements of Point Defects Original Research Article
Pages 1-92
Gordon Davies

Chapter 2 Defect Identification Using Capacitance Spectroscopy Original Research Article
Pages 93-152
P.M. Mooney

Chapter 3 Vibrational Spectroscopy of Light Element Impurities in Semiconductors Original Research Article
Pages 153-224
Michael Stavola

Chapter 4 Defect Processes in Semiconductors Studied at the Atomic Level by Transmission Electron Microscopy Original Research Article
Pages 225-259
P. Schwander, W.-D. Rau, C. Kisielowski, M. Gribelyuk, A. Ourmazd

Chapter 5 Scanning Tunneling Microscopy of Defects in Semiconductors Original Research Article
Pages 261-296
Nikos D. Jäger, Eicke R. Weber

Chapter 6 Perturbed Angular Correlation Studies of Defects Original Research Article
Pages 297-405
Thomas Wichert

Index
Pages 407-417