Semiconductor materials: an introduction to basic principles

CONTENTS......Page 8
CHAPTER 1. Introduction......Page 12
2.1. Introduction......Page 16
2.2. Interatomic Bonding......Page 17
2.3. Crystal Structure......Page 20
2.4. Defects in Solids......Page 32
2.5. Lattice Vibrations......Page 37
2.6. Summary......Page 41
Problems......Page 43
3.1. Introduction......Page 44
3.2.1. The Wave–Particle Duality......Page 45
3.2.3. The Schrödinger Wave Equation......Page 46
3.3.1. Free Electrons......Page 48
3.3.2. Bound Electron in an Infinitely Deep Potential Well......Page 49
3.3.3. Bound Electron in a Finite Potential Well......Page 50
3.3.4. Electron Tunneling through a Finite Potential Barrier......Page 51
3.3.5. The Kronig–Penney Model (Electron in a Periodic Crystal Potential)......Page 53
3.4. Energy Bands in Crystals......Page 56
3.5. Brillouin Zones and Examples of the Energy Band Structure for Semiconductors......Page 60
3.6. The Effective Mass......Page 63
3.7. Classification of Solids According to the Band Theory......Page 66
3.8. Summary......Page 68
Problems......Page 69
4.2. Electrons and Holes in Semiconductors......Page 70
4.3. The Fermi–Dirac Distribution Function and the Density of States......Page 72
4.4.1. Intrinsic Semiconductors......Page 77
4.4.2. Extrinsic Semiconductors......Page 80
4.5. Donors and Acceptors in Semiconductors......Page 81
4.6. Nonequilibrium Properties of Carriers......Page 91
4.7.1. Optical Absorption......Page 92
4.8. Recombination Processes......Page 98
4.8.1. Radiative Transitions......Page 99
4.8.2. Nonradiative Recombination Mechanisms......Page 103
4.8.3. Recombination Rate......Page 105
4.8.4. Luminescence Centers......Page 107
4.9 Spontaneous and Stimulated Emission......Page 109
4.10 Effects of External Perturbations on Semiconductor Properties......Page 111
4.11.1. Poisson’s Equation......Page 113
4.11.3. Carrier Transport Equations......Page 114
Problems......Page 115
5.2.1. The p–n Junction......Page 118
5.2.2. Schottky Barrier......Page 127
5.2.3. Heterojunctions......Page 128
5.3.1. Bipolar Junction Transistors......Page 131
5.3.2. Field Effect Transistors......Page 133
5.4 Integrated Circuits......Page 135
5.5.1. Light Emitting Devices......Page 136
5.5.2. Light Detecting Devices......Page 140
5.6 Summary......Page 144
6.1. Introduction (Semiconductor Growth and Processing)......Page 146
6.2. Elemental Semiconductors......Page 153
6.3.1. III–V Compounds......Page 155
6.3.2. II–VI Compounds......Page 157
6.3.4. I–III–VI[sub(2)] (Chalcopyrite) Compounds......Page 158
6.4. Narrow Energy-Gap Semiconductors......Page 159
6.5. Wide Energy-Gap Semiconductors......Page 160
6.6. Oxide Semiconductors......Page 163
6.7. Magnetic Semiconductors......Page 164
6.9. Amorphous Semiconductors......Page 165
6.10. Organic Semiconductors......Page 168
6.11. Low-dimensional Semiconductors......Page 169
6.12. Choices of Semiconductors for Specific Applications......Page 178
6.13. Summary......Page 179
Problems......Page 181
7.1. Introduction......Page 182
7.2.1. Resistivity (Conductivity) and the Hall Effect......Page 186
7.2.2. Capacitance–Voltage Measurements......Page 189
7.2.3. Photoconductivity......Page 191
7.3. Optical Characterization Methods......Page 193
7.3.1. Optical Absorption......Page 194
7.3.2. Photoluminescence......Page 195
7.3.3. Raman Spectroscopy......Page 198
7.3.4. Ellipsometry......Page 199
7.4. Microscopy Techniques......Page 200
7.4.1. Optical Microscopy......Page 201
7.4.2. Electron Beam Techniques......Page 202
7.4.3. Scanning Probe Microscopy......Page 209
7.5.1. X-ray Diffraction......Page 214
7.5.2. Electron Diffraction......Page 215
7.6. Surface Analysis Methods......Page 216
7.6.1. Auger Electron Spectroscopy......Page 217
7.6.2. Photoelectron Spectroscopy......Page 218
7.6.3. Ion-Beam Techniques......Page 219
7.6.4. Comparison of Surface Analytical Techniques......Page 224
Problems......Page 226
APPENDICES......Page 228
BIBLIOGRAPHY......Page 230
C......Page 234
E......Page 235
I......Page 236
N......Page 237
S......Page 238
Z......Page 239