دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: ریاضیات کاربردی ویرایش: 1 نویسندگان: P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldham (Editors) سری: ISBN (شابک) : 902472824X, 9789024728244 ناشر: سال نشر: 1983 تعداد صفحات: 633 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 6 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits (NATO ASI (Advanced Science Institutes) Series E: Applied Sciences - No. 62) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شبیه سازی فرآیند و دستگاه برای مدارهای MOS-VLSI (NATO ASI (موسسات علوم پیشرفته) سری E: علوم کاربردی - شماره 62) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
مجموعه مقالات موسسه مطالعات پیشرفته ناتو در مورد شبیه سازی فرآیند و دستگاه برای مدارهای MOS-VLSI، سوگستا، اوربینو، ایتالیا، 12 تا 23 ژوئیه، 1982
Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982